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半导体超纯水是怎么“炼”成的

一、半导体超纯水的核心指标与标准

指标

半导体级超纯水要求

杂质影响

电阻率

≥18.2 MΩ·cm(25℃)

水中离子(如 Na⁺、Cl⁻)会导致晶圆表面电路短路或漏电。

总有机碳(TOC)

10 ppb(理想<5 ppb)

有机物残留可能在晶圆表面形成有机膜,影响薄膜沉积均匀性,或引发化学反应污染。

颗粒度

0.1μm(每升水中≥0.1μm 颗粒数<100 个)

颗粒附着会导致光刻图案失真、芯片短路,甚至直接破坏晶圆表面氧化层。

微生物

1 CFU/mL

微生物代谢产物可能引入离子或有机物,其尸体残骸成为颗粒污染源。

金属离子

单项<0.1 ppb(总量<1 ppb)

重金属(如 Fe、Cu、Al)会改变半导体材料的电学性能,引发芯片失效。

二、制备流程:从原水到超纯水的多级处理工艺

1. 预处理阶段:去除大颗粒杂质与有机物

· 多介质过滤

· 采用石英砂、活性炭、无烟煤等多层滤料,去除原水中的悬浮物、铁锈、胶体(粒径>1μm)及部分有机物(活性炭吸附)。

· 作用:保护后续膜组件,防止大颗粒堵塞。

· 超滤(UF)

· 利用 0.01μm 孔径的中空纤维膜,去除细菌、病毒、胶体及大分子有机物,产水浊度<0.1 NTU。

· 特点:相比传统砂滤,超滤效率更高,且能有效控制微生物污染。

· 软化 / 脱碳(可选):

· 通过阳离子交换树脂去除钙镁离子(降低硬度,防止 RO 膜结垢),或通过脱碳塔吹脱 CO₂,避免后续离子交换树脂负荷过高。

2. 核心纯化阶段:深度去除离子与有机物

· 反渗透(RO)

· 采用高压(10-15 bar)驱动的芳香族聚酰胺复合膜,孔径 0.0001μm,脱盐率>99%,去除水中 90% 以上的离子、有机物及细菌。

· 作用:将原水电阻率从<100 μS/cm 提升至 1-10 MΩ・cm,大幅降低后续离子交换负荷。

· 电去离子(EDI)

· 结合离子交换树脂与电渗析技术,通过电场作用持续再生树脂,无需化学药剂即可将电阻率提升至 15-18 MΩ・cm,同时去除残留离子(如 SiO₂)。

· 优势:相比传统混床离子交换,EDI 无需再生废液,环保且纯度更稳定。

· 紫外氧化(UV)

· 采用 185nm+254nm 双波长 UV 灯,分解水中的有机物(如 TOC 降至<10 ppb),并灭活微生物(破坏 DNA 结构)。

· 原理185nm UV 直接光解有机物,254nm UV 辅助杀菌,同时产生・OH 自由基强化氧化效果。

3. 终端处理阶段:极致净化与水质维持

· 抛光混床(Polishing Resin)

· 填充高纯度阴 / 阳离子交换树脂(粒径<50μm),进一步去除 EDI 出水中残留的微量离子(如 Li⁺、B³⁺),使电阻率达到 18.2 MΩ・cm。

· 注意:树脂需定期更换(寿命通常 3-6 个月),避免微生物滋生。

· 超滤(终端 UF)

· 采用 0.01μm 或更小孔径的聚醚砜(PES)膜,过滤掉树脂碎屑、微生物残骸等颗粒,确保颗粒度<0.1μm。

· 微滤(MF)或纳米滤(NF)(可选):

· 对于更高精度需求(如 7nm 以下制程),可增加 0.05μm 膜过滤,进一步拦截胶体或聚合有机物。

4. 循环系统:防止二次污染

· 全不锈钢 / PVDF 管道

· 采用电解抛光不锈钢(EP 级)或聚偏氟乙烯(PVDF)材质,内壁粗糙度<0.5μm,避免金属离子析出或微生物附着。

· 恒温循环

· 水温控制在 20-25℃,减少离子活性变化,并通过持续循环(流速>1m/s)防止死水段微生物繁殖。

· 在线监测

· 实时监测电阻率、TOC、颗粒度、微生物等指标,数据异常时自动触发再生或冲洗流程。

三、关键技术难点与解决方案

1. 硅元素(SiO₂)的去除

· 挑战:水中硅酸(H₂SiO₃)以分子态存在,传统 RO 难以去除,残留的 SiO₂会在晶圆表面形成缺陷。

· 解决方案

· 通过 EDI 中的强碱性树脂(OH⁻型)吸附硅酸根离子(SiO₃²⁻),或在终端增加专用硅吸附树脂。

2. 微生物控制

· 风险:超纯水中微生物即使极少(如 1 CFU/mL),其代谢产物也可能污染晶圆。

· 控制手段

· 定期用臭氧(O₃)或过氧化氢(H₂O₂)冲洗管道,破坏生物膜;

· 管道设计避免死角,采用热熔焊接减少接缝;

· 在线监测 ATP(三磷酸腺苷),快速检测微生物活性。

3. 有机物深度去除

· 技术升级

· 采用 “UV + 臭氧 + 活性炭” 组合工艺,其中臭氧 - UV 协同氧化可将 TOC 降至<5 ppb;

· 使用亲水性活性炭(如椰壳活性炭),增强对小分子有机物的吸附能力。

四、行业标准与应用场景

· SEMI 标准

· 半导体超纯水分为不同等级(如 SEMI E1.1),对应不同制程需求:

· 18.2 MΩ・cm@25℃:适用于 14nm 以下先进制程;

· 15-18 MΩ・cm:适用于 28nm-1μm 制程。

· 应用场景

· 晶圆清洗(占超纯水用量 70%):去除表面污染物;

· 蚀刻液 / 电镀液配制:避免杂质影响薄膜成分;

· 光刻胶清洗:防止图案失真;

· CMP(化学机械抛光):作为抛光液载体,避免颗粒残留。

五、成本与效率优化

· 废水回收
RO 浓水(约占原水 70%)可通过二级 RO 或蒸发冷凝回收,用于预处理阶段,降低水资源消耗。

· 智能化管理
采用 PLC 控制系统,根据水质数据自动调整各阶段运行参数(如 RO 压力、UV 功率),减少人工干预与能耗。

总结

半导体超纯水的制备是 “物理过滤 + 化学纯化 + 微生物控制” 的多维度协同过程,其核心在于通过多级精密处理,将水中离子、有机物、颗粒、微生物等杂质控制在 “趋近于零” 的水平。随着半导体制程向 3nm 及以下演进,超纯水的纯度要求还将进一步提升,推动制备技术向更高效、更低成本的方向发展。

 


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